2M2AD2 | Stage de technologie en salle blanche | Materiaux et Chimie | S8 | ||||||
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Cours : 12 h | TD : 30 h | TP : 0 h | Projet : 0 h | Total : 42 h | |||||
Responsable : Jean-Michel Rueff |
Pré-requis | |
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2M2AD1 | |
Objectifs de l'enseignement | |
Ce stage, réalisé en salle blanche à Rennes pendant une semaine, permet aux étudiants de réaliser la fabrication complète de transistor de type PMOS ainsi que leur caractérisation. | |
Programme détaillé | |
Utilisation d'un procédé de fabrication d’un transistor PMOS par photolithographie selon les étapes technologiques suivantes: 1) Ouverture des fenêtres source et drain à travers l'oxyde de masquage et dopage par diffusion 2) Gravure de l'oxyde de masquage au niveau de la grille 3) Oxydation sèche au niveau de la grille et ouverture des fenêtres de prises de contact source et drain 4) Dépot d'aluminium et gravure de contacts métalliques 5) Caractérisations électriques. |
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Applications (TD ou TP) | |
Non renseigné | |
Compétences acquises | |
A l'issue de ce stage les étudiants possèdent une expérience pratique de la réalisation et de la caractérisation de structures de type PMOS. Ils auront également appris à évoluer et travailler en salle blanche. | |
Bibliographie | |
Non renseigné |
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